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NTS4101P
TYPICAL CHARACTERISTICS
5
4
3
Q T
V GS
3
2
V GS = 0 V
2
Q 1
Q 2
1
1
0
0
2
4
6
I D = ? 1.0 A
T J = 25 ° C
8
0
0
0.2
T J = 125 ° C
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. Diode Forward Voltage versus
Current
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